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IXTA1R6N50D2供应商
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IXTA1R6N50D2
- 制造厂商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-263AA
- 技术参数：MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
- （专注销售IXYS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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IXTA1R6N50D2参数详情：
- 型号:IXTA1R6N50D2
- 品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
- 封装:TO-263AA
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 1.6A TO263
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 沟道，耗尽型
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.3 欧姆 @ 800mA，0V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.7 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:645 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-263AA
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
- IXTA1R6N50D2的官网价格：1:$5.72000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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