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IXSJ25N120R1供应商
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IXSJ25N120R1
- 制造厂商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:ISO247-3L
- 技术参数：1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
- （专注销售IXYS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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IXSJ25N120R1参数详情：
- 型号:IXSJ25N120R1
- 品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
- 封装:ISO247-3L
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:1200V 62M (25A @ 25C) SIC MOSFET
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:1200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:81 毫欧 @ 12A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.8V @ 5.3mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:52 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+21V，-4V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1435 pF @ 800 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:75.3W（Tc）
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:ISO247-3L
- 封装/外壳:TO-247-3
- IXSJ25N120R1的官网价格：1:$16.19000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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