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IXGQ20N120B供应商
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IXGQ20N120B
- 制造厂商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
- 技术参数：IGBT 1200V 40A 190W TO3P
- （专注销售IXYS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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IXGQ20N120B参数详情：
- 制造商产品型号：IXGQ20N120B
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT 1200V 40A 190W TO3P
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：PT
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：40A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：100A
- 不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：3.4V @ 15V，20A
- 功率-最大值：190W
- 开关能量：2.1mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：62nC
- 25°C时Td（开/关）值：20ns/270ns
- 测试条件：960V，20A，10 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：40ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：TO-3P-3，SC-65-3
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