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IXFP8N65X2M供应商
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IXFP8N65X2M
- 制造厂商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220 隔离的标片
- 技术参数：MOSFET N-CH 650V 8A TO220
- （专注销售IXYS电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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IXFP8N65X2M参数详情：
- 制造商产品型号：IXFP8N65X2M
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 8A TO220
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：HiPerFET
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：650V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：8A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：450 毫欧 @ 4A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：790pF @ 25V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220 隔离的标片
- IXFP8N65X2M的官网价格：有源，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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