IXFN64N60P
制造厂商：IXYS
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-227B
技术参数：MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B
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参数详情：
制造商产品型号：IXFN64N60P制造商：IXYS公司（已被Littlefuse美国力特半导体收购）描述：MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：PolarHV?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：50A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：96 毫欧 @ 500mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 8mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：200nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12000pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：700W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装器件封装：SOT-227BIXFN64N60P的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
