IXFH67N10
制造厂商：IXYS
类别封装：单端场效应管，TO-247AD
技术参数：MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD
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参数详情：
IXYS公司完整型号：IXFH67N10制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）描述：MOSFET N-CH 100V 67A TO-247AD系列：HiPerFETFET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：100V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：67A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：25 毫欧 @ 33.5A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 4mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：260nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4500pF @ 25V功率 - 最大值：300W安装类型：通孔封装/外壳：TO-247-3供应商器件封装：TO-247AD （IXFH）IXFH67N10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
