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FII30-12E
- 制造厂商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 阵列，封装:ISOPLUS i4-PAC
- 技术参数：IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
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FII30-12E参数详情：
- 型号:FII30-12E
- 品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
- 封装:ISOPLUS i4-PAC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > IGBT 阵列
- 描述:IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- IGBT 类型:NPT
- 配置:半桥
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:33 A
- 功率 - 最大值:150 W
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.9V @ 15V，20A
- 电流 - 集电极截止（最大值）:200 A
- 不同Vce 时输入电容 (Cies):1.2 nF @ 25 V
- 输入:标准
- NTC 热敏电阻:无
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:i4-Pac-5
- 供应商器件封装:ISOPLUS i4-PAC
- FII30-12E的官网价格：None，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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